偏壓（Bias)是指在（zài）鍍（dù）膜過程中施（shī）加在基體（tǐ）上的負電壓。偏壓電源的正極接到真空室上，同時真空室接地，偏壓（yā）的負（fù）極接到工件上。由於大地的電壓一般認為是零電位，所以（yǐ）工（gōng）件上的電壓習（xí）慣說負偏壓，簡稱偏壓。

負偏壓的作用
提供粒子能量；
對（duì）於（yú）基片的加熱效（xiào）應；
清除基片上吸附的氣體和油汙等，有利於提（tí）高膜層結合強度；
活化基體表麵；
對（duì）電（diàn）弧離子鍍（Arc Ion Plating)中（zhōng）的大顆（kē）粒（lì）有（yǒu）淨化作用；

偏壓的分類
根據波形可分為：
直流偏壓
直流（liú）脈衝偏壓
直流（liú）疊加（jiā）脈衝偏壓
雙極性脈衝偏壓

直流偏壓和脈衝偏壓的（de）比較

傳統的電弧離（lí）子鍍（dù）是在基片台上施（shī）加直流負偏壓控製離子轟擊能量, 這種沉積工藝存在以下缺點:
        基體溫升高, 不利於在回火溫度低的（de）基體（tǐ）上沉積（jī）硬質膜。
        高能離子轟擊造成嚴重的濺射, 不能（néng）簡單通（tōng）過提高離子轟擊能量合成高反應閾（yù）能的硬質薄膜。
直流偏壓電弧離子鍍工藝中,為了抑製因（yīn）離子（zǐ）對基體表麵連續轟擊而導致的基體溫度過高,主要采取（qǔ）減少沉積功率、縮（suō）短沉積時間、采用間歇沉積方式等措施來降低沉積溫度（dù），這些措（cuò）施可以概括地稱為能量控製法'這種方法雖然（rán）可以降低沉積溫度,但也使薄膜的某些性能下降,同時還（hái）降低了生產效率和薄膜質量的（de）穩定性，因此,難以推廣（guǎng）應用。
脈衝偏壓電弧離子鍍工藝中,由於離子（zǐ）是以非（fēi）連續的脈衝方式轟擊基體表麵,所以（yǐ）通過調節脈衝偏壓的占空（kōng）比,可改變基（jī）體內部與表麵之（zhī）間（jiān）的溫度梯度,進而改變基體內（nèi）部與表麵之間熱的均衡補償效果,達到調控沉積溫度（dù）的目（mù）的。這樣就可以把施加偏壓的脈衝（chōng）高度與工件溫度獨立分開(互不影響（xiǎng）或影響很小)調節,利用高壓脈（mò）衝來獲（huò）得高能離子的轟擊效應以改善薄膜的組織和性（xìng）能,通過降低占空比來減小離子轟擊的總加熱效應以降低沉積溫度。

偏（piān）壓對膜層的影響

偏壓對（duì）膜層的影響機製是很複雜（zá）的，下麵列（liè）出了一些主要影響，可以根據自己的（de）使用工藝，觀察總（zǒng）結，就可以很快摸清（qīng）偏壓對膜層的影響（xiǎng）規律。
        膜層（céng）結構、結晶構造取向、組織結構（gòu）
        沉積速（sù）率
        大顆粒淨化
        膜層硬度
        膜層致密度
        表麵形貌
        內（nèi）應力

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