電子在電場的作用下加速飛向基（jī）片的過程中與氬原子發生碰撞,電離出大量的氬離子和電子（zǐ）,電子飛向基片.氬離子在電（diàn）場的作用（yòng）下加速轟擊（jī）靶（bǎ）材,濺射出大量的靶材原子,呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成（chéng）膜.二次電子（zǐ）在加速飛向基片的過程中受到磁場洛侖磁力的影響,被束縛在（zài）*近靶麵的等離（lí）子體區域內,該區域內等離子體密度很高,二次電子在磁場的作用下圍繞靶麵作圓周（zhōu）運動,該電子的運（yùn）動路徑很長,在運動過程中不斷的與氬原子發生（shēng）碰撞電離出大量的氬離子轟擊靶材,經過多次碰撞（zhuàng）後電子的能量逐漸降（jiàng）低,擺脫磁力線的束縛,遠離靶材,最終（zhōng）沉（chén）積在基片上.

        磁控濺射就是以（yǐ）磁場束（shù）縛和延長電子的運動路徑,改變電子的運（yùn）動方向,提高（gāo）工作氣體的電離率和有效利用電子的能量.

       電子的歸宿不僅僅是基片,真空室內壁（bì）及靶源陽極也是電子歸宿.但一般基片與真空室及陽極在同一電勢.磁場（chǎng）與電場的交互作用（E X B shift）使單個電子軌跡呈三維螺旋狀,而不是僅僅在靶麵圓周運動.至於靶麵圓周型的濺射（shè）輪廓,那是靶源磁場磁力線呈圓周形狀形狀.磁力線分布方向不同會對成膜有很大關係.

       在（zài）E X B shift機理下工作（zuò）的不光（guāng）磁控濺射（shè）,多弧鍍靶源（yuán）,離子源（yuán）,等離（lí）子源等都在次（cì）原理下（xià）工作（zuò）.所（suǒ）不同（tóng）的是（shì）電場（chǎng）方向,電壓（yā）電流大小而已.